氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫III：鋁銦鎵氮化物微結構及光電特性分析(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	馮明憲	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:32Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:32Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2218-E009-051	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94716	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=461765&docId=84664	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氮化鎵	zh_TW
dc.subject	光電材料	zh_TW
dc.subject	微觀結構	zh_TW
dc.subject	GaN	en_US
dc.subject	Optoelectronic material	en_US
dc.subject	Microstructure	en_US
dc.title	氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫III：鋁銦鎵氮化物微結構及光電特性分析(I)	zh_TW
dc.title	The Optoeclectronic and Microstructure Characterizations of AlxGa/sub 1-x/N/GaN and InxGa/sub 1-x/N/GaN (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學材料科學與工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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