標題: 氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫III:鋁銦鎵氮化物微結構及光電特性分析(I)
The Optoeclectronic and Microstructure Characterizations of AlxGa/sub 1-x/N/GaN and InxGa/sub 1-x/N/GaN (I)
作者: 馮明憲
交通大學材料科學與工程研究所
關鍵字: 氮化鎵;光電材料;微觀結構;GaN;Optoelectronic material;Microstructure
公開日期: 1999
官方說明文件#: NSC88-2218-E009-051
URI: http://hdl.handle.net/11536/94716
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=461765&docId=84664
顯示於類別:研究計畫


文件中的檔案:

  1. 882218E009051.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。