氮化鎵材料製程開發及元件製作(I)

標題:	氮化鎵材料製程開發及元件製作(I) GaN-Based Fabrication Process Development and Device Fabrication(I)
作者:	王興宗 WANG SHING CHUNG 國立交通大學光電工程研究所
關鍵字:	氮化鎵;製程開發;GaN;Process development
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2215-E009-102
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94732 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=660682&docId=125042
顯示於類別：	研究計畫