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dc.contributor.author胡竹生en_US
dc.contributor.authorHU JWU-SHENGen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:37:37Z-
dc.date.available2014-12-13T10:37:37Z-
dc.date.issued1998en_US
dc.identifier.govdocNSC87-2218-E009-002zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/94774-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=340968&docId=60795en_US
dc.description.abstract半導體製程設備居半導體工業之游,擔任技術提供與應用支援的角色。當我國的半導體產業開始在全球市場佔有一席之地時,必需規劃帶動其支援工業,以健全產業體系及奠定長期競爭力。而設備工業在此規劃中,將扮演支撐及推進的重要功能。綜觀半導體之製程,包含數百道製作程序,其涵蓋之技術領域相當廣泛。其中快速熱程序(rapid thermalprocessing)之相關設備,近年來在大面積、高密度及單晶圓處理(single-waferprocessing)的趨勢下日形重要。這一趨勢的形成主要是因應彈性生產的需求而來。除此之外,多項IC製程如生長非常薄的氧化絕緣層或形成淺接合點(shallow junction)等,需要在低熱預算(thermal budget)的機台內方能完成,傳統之高溫爐(furnace)由於熱質量大(thermal mass),已不適合使用。因此近年來RTP之核心技術被大量應用在快速氧化(RTO),快速退火(RTA)或快速熱化學氣相沉積(RTCVD)等製程上。RTP設備中最常使用之熱源為鎢鹵素燈,藉由熱幅射之途徑將晶圓加溫。而晶圓之溫度通常由非接觸式的紅外線高溫計(pyrometer)來測量。溫度曲線的追蹤則經由回授控制來完成。因此RTP設備的等級是根據溫度追蹤的誤差以及晶圓表面的均溫程度來區別。除此之外,在生產線上講求的是晶圓間或批次間的品質一致性,由於高溫計的測量隨晶圓背面的粗度及表面蝕刻沉積或濺鍍之花樣(pattern)而不同,因此高溫計的校正準確度也成為RTP的關鍵技術。本計劃為總計劃的第三個子計劃,負責下列工作:(1)了解RTP機台組成之各項元件並規劃系統整合之架構;(2)研究Hardware-in-the-loop RTP simulator之架構及關鍵技術並以即時多工電腦系統實現;(3)以實驗驗證RTP simulator中熱傳導、對流及幅射模擬之準確度;(4)提供其它子計劃於RTP simulator上實現時所需界面;(5)針對生產環境設計並撰寫一開放結構之控制軟體,並具有研發擴充的能力。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject半導體zh_TW
dc.subject快速熱處理zh_TW
dc.subject系統整合zh_TW
dc.subject電腦控制zh_TW
dc.subject閉環控制zh_TW
dc.subject化學蒸鍍法zh_TW
dc.subjectSemiconductoren_US
dc.subjectRapid thermal processingen_US
dc.subjectSystem integrationen_US
dc.subjectComputer controlen_US
dc.subjectClose loop controlen_US
dc.subjectChemical vapor depositionen_US
dc.title快速熱程序設備之系統整合(II)zh_TW
dc.titleSystem Integration of Rapid Thermal Processors (II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學控制工程系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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  1. 872218E009002.pdf

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