完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | CHANG EDWARD YI | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:38:21Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:38:21Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | NSC102-2221-E009-095-MY2 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/95272 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3106373&docId=420777 | en_US |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 功率增益截止頻率高於100GHz之高頻氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究 | zh_TW |
| dc.title | Development and Research of AlN/GaN HEMT with fmax>100GHz for High Frequency Applications | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |
| dc.contributor.department | 國立交通大學材料科學與工程學系（所） | zh_TW |
| 顯示於類別： | 研究計畫 | |
