| 標題: | 高頻功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究 Development of InAlN/GaN Hemt for High Power and High Frequency Applications |
| 作者: | 張翼 CHANG EDWARD YI 國立交通大學材料科學與工程學系（所） |
| 公開日期: | 2015 |
| 官方說明文件#: | MOST104-2221-E009-055-MY2 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/129890 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11574448&docId=469498 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
