| 標題: | 功率增益截止頻率高於100GHz之高頻氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究 Development and Research of AlN/GaN HEMT with Fmax 100GHz for High Frequency Applications |
| 作者: | 張翼 CHANG EDWARD YI 國立交通大學材料科學與工程學系（所） |
| 公開日期: | 2014 |
| 官方說明文件#: | NSC102-2221-E009-095-MY2 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/99371 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8125233&docId=433553 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
