| 標題: | 功率增益截止頻率高於100GHz之高頻氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究 Development and Research of AlN/GaN HEMT with fmax>100GHz for High Frequency Applications |
| 作者: | 張翼 CHANG EDWARD YI 國立交通大學材料科學與工程學系（所） |
| 公開日期: | 2013 |
| 官方說明文件#: | NSC102-2221-E009-095-MY2 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/95272 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3106373&docId=420777 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
