矽與矽鍺材料及元件之發展---子計畫二：矽與矽鍺之短通道MOSFET's

Abstract

本研究計畫將以三年時間， 研究探討SiGe磊晶層的材料及物理特性，並研究這些特性對Si/SiGe短通道MOSFET元件的影響以及元件可靠度的問題。第一年將以低溫磊晶成長Si及SiGe，建立p型和n型磊晶摻雜濃度的資料庫。並設計和製作光罩， 為後續Si/SiGe短通道MOSFET和SiGe HBT元件之製作準備。由於Si/ SiGesubstrate無法承受高溫的製程，因此將先研究及建立低溫製程技術，包括元件隔絕技術、低溫閘極氧化層的成長、源極/汲極淺接面等技術。因為工程繁巨，所以我們預計需要跨越兩個年度的時間來完成。為了使通道長度能降到0.1微米，將用e-beam曝光技術來完成MOSFET閘極的製作。最後利用矽鍺材料優越的物理特性，進行整個元件的製作，量測出元件的簡單特性，與一般傳統的MOSFET元件作比較。並對Si/ SiGe量子井元件作初步的探討。第三年將著重元件特性的改良，量測並萃取元件的參數， 並對元件可靠度問題作初步的探討。