矽與矽鍺之短通道MOSFET元件發展

Abstract

本研究計劃將以三年的時間,研究探討Si及 SiGe磊晶層之成長機制,研製短通道Si及SiGe通道 之 MOSFET元件,藉此驗証Substrate Engineering 之構想 ,並探討此二種通道結構 MOSFET元件之可靠性問 題.第一年將以低溫磊晶成長Si 及SiGe,建立n型p型磊晶摻雜濃度之資料庫.同時並利用 Substrate Engi- neering 的構想,以電腦模擬及設計元件結構 ,並探討元件設計時之考量.此後進行光罩之設 計及製作,以便 Si及SiGe通道 MOSFET元件之研製. 第二年則繼續MOSFET之研製與改良,並針對元件 製程及設計所需,建立低溫的製程技術,包括低 溫閘極氧化層,元件隔絕技術、源極 / 汲極淺 接面等技術.第三年則著重元件特性,量測並萃 取元件之參數、印証 Substrate Engineering之構想,製作Ring Oscillator 證明元件速度之改善,同時並 探討短通道Si及Si Ge通道MOSFET元件的可靠度問 題.