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dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorCHANG CHUN-YENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:38:51Z-
dc.date.available2014-12-13T10:38:51Z-
dc.date.issued1996en_US
dc.identifier.govdocNSC85-2215-E009-038zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/95803-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234704&docId=43089en_US
dc.description.abstract本研究計劃將以三年的時間,研究探討Si及 SiGe磊晶層之成長機制,研製短通道Si及SiGe通道 之 MOSFET元件,藉此驗証Substrate Engineering 之構想 ,並探討此二種通道結構 MOSFET元件之可靠性問 題.第一年將以低溫磊晶成長Si 及SiGe,建立n型p型磊晶摻雜濃度之資料庫.同時並利用 Substrate Engi- neering 的構想,以電腦模擬及設計元件結構 ,並探討元件設計時之考量.此後進行光罩之設 計及製作,以便 Si及SiGe通道 MOSFET元件之研製. 第二年則繼續MOSFET之研製與改良,並針對元件 製程及設計所需,建立低溫的製程技術,包括低 溫閘極氧化層,元件隔絕技術、源極 / 汲極淺 接面等技術.第三年則著重元件特性,量測並萃 取元件之參數、印証 Substrate Engineering之構想,製作Ring Oscillator 證明元件速度之改善,同時並 探討短通道Si及Si Ge通道MOSFET元件的可靠度問 題.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject金氧半場效電晶體zh_TW
dc.subject矽zh_TW
dc.subject鍺zh_TW
dc.subject光罩zh_TW
dc.subject短通zh_TW
dc.subjectMOSFETen_US
dc.subjectSiliconen_US
dc.subjectGermaniumen_US
dc.subjectMasken_US
dc.title矽與矽鍺之短通道MOSFET元件發展zh_TW
dc.titleShort Channel Si/SiGe MOSFET'sen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程學系zh_TW
顯示於類別：研究計畫


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