標題: 銅的化學氣相沉積技術及其在深次微米積體電路之應用的研究(II)
Cu-CVD Technology and Reliability Issues of Cu Metallization Relevant to ULSI Application (Ⅱ)
作者: 陳茂傑
交通大學電子工程系
關鍵字: 銅;化學氣相沉積;擴散障壁材料;惰化;深次微米;Cu;CVD;Barrier metal;Passivation;Deep submicron
公開日期: 1997
官方說明文件#: NSC86-2215-E009-040
URI: http://hdl.handle.net/11536/95593
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=278865&docId=50212
顯示於類別:研究計畫