薄膜超導元件的研制與特性探討---子計畫四：鉈系1223相超導薄膜之製備與特性研究(II)

標題:	薄膜超導元件的研制與特性探討---子計畫四：鉈系1223相超導薄膜之製備與特性研究(II) A Study on the Fabrication and Properties of Tl-1223 Superconducting Thin Films(II)
作者:	莊振益國立交通大學電子物理學系
關鍵字:	覆蓋層;超導薄膜;腔內補償裝置;即時雙鎗交流濺鍍系統;維度各向異性;臨界電流密度;Capsulation layer;Superconducting thin film;In-chamber compensation setup;Dual-gun in-situ RF sputtering;Dimensionality anisotropy;Critical currentdensity
公開日期:	1996
官方說明文件#:	NSC85-2112-M009-038-PH
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95658 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=239629&docId=44317
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