| 標題: | 單晶CVD薄膜和熔化成長法製成中之不穩定熱流與使其穩定之研究---子計畫二：薄膜單晶成長之垂直式CVD反應器內流動與熱傳之數值研究 (I) Numerical Study of Flow and Heat Transfer in Vertical CVD Reactor of Thin Film Single Crystal Growth(I) |
| 作者: | 崔燕勇 國立交通大學機械工程學系 |
| 關鍵字: | 化學蒸汽堆積法;薄膜單晶成長;數值模擬;Chemical vapor deposition;Thin film single crystal growth;Numericalsimulation |
| 公開日期: | 1996 |
| 官方說明文件#: | NSC85-2212-E009-032 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/95782 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=230694&docId=41961 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
