| 標題: | 快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析 Analysis of Hot Electron Induced Reliability of Flash Memories |
| 作者: | 莊紹勳 Chung Steve S 國立交通大學電子工程學系 |
| 公開日期: | 1996 |
| 官方說明文件#: | NSC85-2215-E009-053 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/96020 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=218534&docId=38692 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
- P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估 / 郭松年;Kuo, Song-Nian;莊紹勳;Steve S. Chung
- N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究 / 廖勝泰;Shen-Tai Liaw;莊紹勳;Steve S. Chung
- 快閃式記憶元件中熱載子注入導致的可靠性問題研究 / 易成名;Cherng-Ming Yih;莊紹勳;Steve S. Chung
- 利用汲極崩潰熱電子注入操作的快閃式記憶體元件性能及可靠性研究 / 陳映仁;Yin Jen Chen;莊紹勳;Steve S. Chung
- A new technique for hot carrier reliability evaluations of flash memory cell after long-term program/erase cycles / Chung, SS;Yih, CM;Cheng, SM;Liang, MS
- 快閃記憶元件的設計方法 / 陳志緯;Chen, Chih-Wei;吳慶源;Wu Ching-Yuan
- P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究 / 莊紹勳;Chung Steve S
Loading...