深次微米MOS及Bipolar元件的模擬、分析及技術發展

標題:	深次微米MOS及Bipolar元件的模擬、分析及技術發展 Simulation, Characterization and Technology for Deep Submicrometer MOS and Bipolar Devices
作者:	吳慶源國立交通大學電子工程研究所
關鍵字:	金氧半導體場效電晶體;雙極性電晶體;薄膜電晶體;超大型積體電路;模擬;MOSFET;Bipolar transistor;Thin film transistor;VLSI;Modeling
公開日期:	1995
摘要:	本研究針對未來極大型(ULSI)積體電路之重要元件所面臨的設計問題進行前瞻性的研究, 其中包括元件縮小的準則、可靠性問題、元件模擬及模式的建立、元件結構的最佳化、測試鍵的計測及參數粹取的方法等.探討的元件包括本體式金氧半場效電晶體、雙載子電晶體、快閃記憶元件及薄膜場效電晶體等.
官方說明文件#:	NSC84-2215-E009-019
URI:	http://hdl.handle.net/11536/96424 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=175852&docId=30081
顯示於類別：	研究計畫