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标题: 植入杂质在快速退火时的扩散模式
Diffusion Model of Implanted Dopants during Rapid Thermal Annealing
作者: 郭双发
国立交通大学电子工程研究所
关键字: 制程模拟;离子植入;快速退火;扩散模型;Process simulation;Ion implantation;Rapid thermal annealing;Diffusionmodel
公开日期: 1995
摘要: 本计画系继以前的两个专题:"离子植入蒙地 卡罗机模拟"及"离子植入物理模式研究"而提出 .在以前的专题中,吾人利用蒙地卡罗方法及发 展更完善的电子阻挡物理模式,已成功地建立 一套可以模拟离子植入的计算机程式.此程式 除了可以精确地计算离子植入后的杂质分布之 外,并可得到点缺陷的初步结果.离子植入后,在 超大型积体电路缩小尺寸要求下,必须经快速 退火或低温炉管退火以得到浅接面.此时,实验结果显示,在某一杂质浓度以下,有暂态增强扩 散现象.这是一般现有扩散模式无法解释与模 拟的.此暂态增强扩散与缺陷种类、退火程序 中点缺陷产生特征、缺陷所在位置、分布及主 要扩散机动等要素息息相关,而相关研究又无 定论.因此,发展一套快速退火扩散模式有其必 要.过去,吾人已成功发展了离子植入模拟程式 及电子阻挡物理模式,并已精确地算出杂质分 布及点缺陷分布.在本计画中,吾人将专注于缺陷的研究.并且利用数值分析方法求解由杂质 及缺陷交互影响下的扩散方程式,以发展一套 离子植入后经快速退火之扩散模式及包含此模 式之杂质扩散模拟程式.此程式不但可以处理 快速退火制程中的暂态增强扩散问题,且与吾 人先前所发展的离子植入程式相衔接,而可模 拟离子植入矽、氧化氮、氮化矽及金属矽化物 中,经快速退火后的杂质及缺陷分布.
官方说明文件#: NSC84-2215-E009-012
URI: http://hdl.handle.net/11536/96589
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=178815&docId=30777
显示于类别：Research Plans


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