| 標題: | 薄膜超導元件的研製與特性探討---子計畫一：新穎鉈系與汞系高溫超導體與其靶材之研製(II) A Study on the Preparation of Novel Tl- and Hg-Based Supperconductors and Their Target Materials(II) |
| 作者: | 陳登銘 TENG-MINGCHEN 國立交通大學電子物理學系 |
| 關鍵字: | 鉈系超導體;汞系超導體;相平衡;單晶成長;靶材;Thallium-based superconductor;Mercury-based superconductor;Phase equilibria;Crystal growth;Target material |
| 公開日期: | 1995 |
| 摘要: | 本研究之主旨在於利用化學合成的原理與 單晶成長技術製作大型鉈系與汞系靶材,以供 製備鉈系與汞系超導薄膜.此外,成長鉈系與汞 系超導氧化物單晶之主旨在於藉具有類二維結 構的超導氧化物、電、磁、光譜與結構特性之 鑑定與分析,了解其超導性之機制.本研究亦將 探討汞鋇鈣銅氧系統相平衡與新化合物發掘之 可能性.其中氧化汞與Ba/sub2/CaCuO/sub 4/及Ba/sub 4 /CaCu/sub 3/O/sub 8/的反應將被分別優先探討.基於 汞系中相平衡的研究基礎,我們試圖研究汞鋇 鈣銅氧化合單晶之可行性,並建立相關的長晶 技術. |
| 官方說明文件#: | NSC84-2112-M009-026-PH |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/96603 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=180193&docId=31071 |
| Appears in Collections: | Research Plans |
