磷化銦高能隙材料能障研究

標題:	磷化銦高能隙材料能障研究 Enhancement of InP Schottky Barrier Height by Using AlAs Intermediate Layer
作者:	陳衛國 WEI-KUOCHEN 國立交通大學電子物理研究所
關鍵字:	磷化銦;肖特基能障;費米針孔效應;Indium phosphide;Schottky barrier height;Fermi pinning effect
公開日期:	1995
摘要:	本計畫擬以AlAsSb/InP結構,提昇InP材料肖特基能障.長久以來InP因本身與金屬介面的費米能階針扎效應(Fermi-pinning)造成能障過低,致使其肖特基元件性能不佳.一般而言,較高能隙常較易獲得較高的肖特基能障.而AlAsSb是InP材料系列中最高能隙半導體,若以AlAsSb作為金屬與半導體之中介層,應可有效提昇InP肖特基特性. AlAsSb雖屬熱力學晶體禁制區材料(Miscibillity gap) ,磊晶條件狹窄,但本實驗室已成功以MOCVD合成AlAsSb薄膜.在計畫過程中,將深入探討如何降低薄膜背景濃度,尤其是AlAsSb表面清洗技術,事關 Schottky特性之良寙,以及適合的肖特基金屬蒸鍍材料,以尋求適當的InP肖特基結構.
官方說明文件#:	NSC84-2215-E009-028
URI:	http://hdl.handle.net/11536/96645 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=175882&docId=30089
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