標題: 寬能隙半導體材料之拉曼散射與光學性質研究
Optical Property and Raman Studies of Wide Energy Gap Semiconductors
作者: 李明知
LEE MING-CHIH
國立交通大學電子物理學系
關鍵字: 寬能隙半導體;光學性質;拉曼散射;Wide energy gap semiconductor;Optical property;Raman study
公開日期: 1995
摘要: 本計畫擬對於寬能隙光電半導體材料(如硫 化鋅、氮化鎵、碳化矽、硒化鋅或硫化鎘等) 之光學性質進行穿透、反射和光激發測量,並 分析其能隙隨溫度、組成比例和摻雜濃度變化 的關係.另外將使用拉曼散射方法檢查其聲子 頻譜與內部結構性質是否存有晶格不匹配之應 力效應及因化合物組成改變引致能隙移動所造 成之共振效應,與雜質濃度所形成能隙間能級 是否產生活化躍遷,再者由不同厚度樣品的拉 曼訊號可檢驗有限尺寸效應,並作為改進製備 程序的參考.
官方說明文件#: NSC84-2112-M009-022
URI: http://hdl.handle.net/11536/96914
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=174203&docId=29757
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