完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 張俊彥 | en_US |
dc.contributor.author | CHANG CHUN-YEN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:39:59Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:39:59Z | - |
dc.date.issued | 1994 | en_US |
dc.identifier.govdoc | E83019 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/97033 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=120644&docId=20116 | en_US |
dc.description.abstract | 本計畫將利用"超高真空化學氣相沈積法"( Ultra-high vacuumchemical vapor deposition,以下簡稱 UHV/CVD)進行多晶矽及多晶矽鍺薄膜的低溫成長, 並探討其材料特性及元件應用.在材料特性方 面,我們將利用X-ray繞射□TEM□SEM□RBS□SIMS□ Four-pointprobe□Surface profile□Hall measurement等方 法分析其結晶性□晶粒大小□鍺含量□摻雜物 濃度□成長速率□阻值□及載子遷移率等性質 .另一方面,我們也將進行Poly-SiGe gate MOSFET以及Self-alligned poly-Si(SiGe)TFT的研製與特性的探討. 本計畫的主要目的在於瞭解以UHV/CVD成長Poly-Si 及Poly-SiGe的材料品質及其在積體電路製程與低 溫化TFT製程上應用的可行性. | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 經濟部 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 超高真空化學沈積法 | zh_TW |
dc.subject | 多晶矽 | zh_TW |
dc.subject | 多晶矽鍺 | zh_TW |
dc.subject | 低溫成長 | zh_TW |
dc.subject | 薄膜電晶體 | zh_TW |
dc.subject | UHV/CVD | en_US |
dc.subject | Poly-Si | en_US |
dc.subject | Poly-SiGe | en_US |
dc.subject | Low-temperature growth | en_US |
dc.subject | TFT | en_US |
dc.title | 利用超高真空化學氣相沈積法成長多晶矽與矽鍺及其元件應用 | zh_TW |
dc.title | Characterizations and Device Applications of Poly-Si and Poly-SiGe Films Grown by UHV/CVD | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學電子研究所(NCTUELNG) | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |