半導體薄膜與界面研究計畫---子計畫三：高溫穩定之金屬砷化鎵接面之研究(III)

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	黃倉秀	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:29Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:40:29Z	-
dc.date.issued	1994	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC83-0416-E007-009	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/97543	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=116915&docId=19252	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	半導體薄膜與界面研究計畫---子計畫三：高溫穩定之金屬砷化鎵接面之研究(III)	zh_TW
dc.title	The Study of High-Temperature Stable Metal/GaAs Contacts (III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立清華大學材料科學工程研究所	zh_TW
Appears in Collections:	Research Plans

APA	黃. (1994). 半導體薄膜與界面研究計畫---子計畫三：高溫穩定之金屬砷化鎵接面之研究(III). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=116915&docId=19252.
Bibtex	@article{1994, title={半導體薄膜與界面研究計畫---子計畫三：高溫穩定之金屬砷化鎵接面之研究(III)}, author={黃倉秀}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=116915&docId=19252}, year={1994}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/97543?mode=full}, }