光電及微波元件技術發展---子計畫三：磊晶及薄膜材料成長

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:30Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:40:30Z	-
dc.date.issued	1994	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC83-0417-E009-018	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/97577	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=127658&docId=21352	en_US
dc.description.abstract	本計畫分為二部分:(1)鈍化技術;(2)磊晶層摻雜.(1)元件鈍化技術之研究:a.元件鈍化技術所需之Si3N4成長,包括PECVD,Photo-CVD和ECR-CVD;b.鈍化層材料品質或成長方式對元件特性在穩定度, 可靠度(環境抗變強度)之影響;c.提供HBT, HEMT和雷射二極體等元件之最適當鈍化技術;(2)摻雜磊晶膜之研究:因加入雜質後會影響磊晶層成長特性及元件之諸多特性.a.摻雜源包含:C、Zn 、Be、Se和Si;b.磊晶種類:GaAs、InGaAsP、AlInGaP和InGaP;c.加了雜質後磊晶層物理現象之探討;d.C、 Be、Zn、Se和Si對元件特性改善之比較,如磊晶難易度、熱穩定度、直流與微波特性之改善,可使用週期,金屬接觸特性;e.找出適合之摻雜方去,以節省成本及改善元件特性.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	惰化	zh_TW
dc.subject	磊晶層摻雜	zh_TW
dc.subject	薄膜	zh_TW
dc.subject	Passivation technique	en_US
dc.subject	Epilayer doping	en_US
dc.subject	Thin film	en_US
dc.title	光電及微波元件技術發展---子計畫三：磊晶及薄膜材料成長	zh_TW
dc.title	Development of Epitaxial and Thin-Film Materials	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學材料科學工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫