標題: | 光電及微波元件技術發展---子計畫二:雷射二極體及量子井結構(I) Development of Laser Diodes and Quantum Well Structure(I) |
作者: | 荊鳳德 國立交通大學電子工程研究所 |
關鍵字: | 雷射二極體;磷化鋁鎵銦;量子能井結構;Lasor diode;AlGaInP;Quantum well structure |
公開日期: | 1994 |
摘要: | 近年來,晶格匹配於GaAs基板的InGaP等三五族 化合物,因具有較大的直接能隙,激發波長約從 550nm至670nm,為可見光區發光元件理想材料,極具 商業開發價值的潛力.相較於AlGaAs/GaAs及 InGaAsP/InP雷射二極體系列,InGaAlP/GaAs仍屬發展較 晚的領域,許多雷射的相關特性,仍需更進一步 加以研究及改進(如:高功率條件下之熱阻與室 溫連續操作的關係,鏡面鍍膜對雷射退化機制 的改善...等).由於當元件縮小至小尺寸時,量子 現象便顯現出來,因此研究量子效應對半導體 雷射的影響,實在是往後設計元件上的一大考 慮. |
官方說明文件#: | NSC83-0417-E009-017 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/97600 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=127654&docId=21351 |
顯示於類別: | 研究計畫 |