光電及微波元件技術發展---子計畫二：雷射二極體及量子井結構(I)

標題:	光電及微波元件技術發展---子計畫二：雷射二極體及量子井結構(I) Development of Laser Diodes and Quantum Well Structure(I)
作者:	荊鳳德國立交通大學電子工程研究所
關鍵字:	雷射二極體;磷化鋁鎵銦;量子能井結構;Lasor diode;AlGaInP;Quantum well structure
公開日期:	1994
摘要:	近年來,晶格匹配於GaAs基板的InGaP等三五族化合物,因具有較大的直接能隙,激發波長約從 550nm至670nm,為可見光區發光元件理想材料,極具商業開發價值的潛力.相較於AlGaAs/GaAs及 InGaAsP/InP雷射二極體系列,InGaAlP/GaAs仍屬發展較晚的領域,許多雷射的相關特性,仍需更進一步加以研究及改進(如:高功率條件下之熱阻與室溫連續操作的關係,鏡面鍍膜對雷射退化機制的改善...等).由於當元件縮小至小尺寸時,量子現象便顯現出來,因此研究量子效應對半導體雷射的影響,實在是往後設計元件上的一大考慮.
官方說明文件#:	NSC83-0417-E009-017
URI:	http://hdl.handle.net/11536/97600 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=127654&docId=21351
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