以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長超薄閘極絕緣膜及可靠性之研究(I)

標題:	以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長超薄閘極絕緣膜及可靠性之研究(I) Fabrication and Reliability of Ultra-thin Gate Dielectrics by ECR-CVD Technique(I)
作者:	張國明 CHANG KOW-MING 國立交通大學電子工程學系
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2215-E009-089
URI:	http://hdl.handle.net/11536/98062 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=583835&docId=109692
顯示於類別：	研究計畫