标题: 三维积体电路(3D IC)之矽晶直通孔(TSV)与其它关键技术制程整合研究及应力量测热传导模型分析( II )
Studies of through Silicon VI a (Tsv) and Other Key Technologies in Three-Dimensional Integrated Circuit (3d Ic) with Stress Analysis and Thermal Conductivity Modeling
作者: 陈冠能
CHEN KUAN-NENG
国立交通大学电子工程学系及电子研究所
关键字: 三维积体电路晶片;矽穿孔;晶圆薄化;晶圆接合;异质接合;金属接合;附着层;3D IC;TSV;wafer thinning;wafer bonding;hybrid bonding;metal bonding;adhesion layer
公开日期: 2011
官方说明文件#: NSC100-2628-E009-010
URI: http://hdl.handle.net/11536/99309
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2360021&docId=373806
显示于类别:Research Plans