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公開日期標題作者
2010介面保護與雷射退火增進高效能N型鍺電晶體之研究陳維邦; Chen, Wei-Barn; 荊鳳德; Chin, Albert; 電子研究所
2013介面緩衝層氧化物對氧化鋯鉿金屬-氧化物-半導體鐵電電容的影響莊政新; Chuang, Cheng-Hsin; 荊鳳德; Albert-Chin; 電子工程學系 電子研究所
2015低功耗鍺電晶體及快取元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2016低功耗鍺電晶體及快取元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2000低溫複晶矽薄膜電晶體之研究石坤桓; K. H. Shih; 荊鳳德; 吳啟宗; Albert Chin; Chhi-Chong Wu; 電子研究所
2007低臨界電壓雙金屬閘極金氧半電晶體製作技術之研發鄭存甫; 荊鳳德; 電子研究所
2007低臨限電壓與高驅動電流之薄膜電晶體在金屬鋁與介電層氧化鑭鉿上之研究黃群懿; Chen-Yi Huang; 荊鳳德; Albert Chin; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2017使用ZrO2 當做緩衝層的多階電阻式記憶體之電阻轉 態特性研究朴美佳; 荊鳳德; BHOOLAXMI MEKALA; Chin, Albert; 電機資訊國際學程
2013使用二氧化矽/氧化鋁介電層運用在氮化鎵鋁/氮化鎵 金屬-絕緣層-半導體電晶體的研究邱于建; Chiu, Yu-Chien; 荊鳳德; Albert Chin; 光電系統研究所
2012使用二氧化鍺/二氧化鈦介電層之低功率電阻式記憶體之研究李鎧佑; Lee, Kai-Tu; 荊鳳德; 電子工程學系 電子研究所
2007使用完全矽化閘極-高介電常數介電質之低臨界電壓金氧半電晶體陳冠霖; Guan Lin Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2008使用變壓器回授及正向基底偏壓壓控振盪器之研究陳冠翰; 荊鳳德; 電子研究所
2004使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有鍺電晶體之研究于殿聖; Yu,Dian-Sheng; 荊鳳德; 電子研究所
2006先進大型積體電路整合之製程設計與元件特性金明鑄; Mingchu King; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
1994光電及微波元件技術發展---子計畫二：雷射二極體及量子井結構(I)荊鳳德; 國立交通大學電子工程研究所
1996全像光學記憶體之紅光源材料、調變器及偵測元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系
2009具四埠功率結合技術的CMOS功率放大器之研究陳鉅宗; Chen, Jyu-Zong; 荊鳳德; Chin, Feng-Der Albert; 電子研究所
2010具有低電壓之金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽結構非揮發性記憶體之製程技術應用與研究李宗翰; Lee, Tsung-Han; 荊鳳德; Chin, Albert; 電子研究所
2007具有低電壓以及良好電荷儲存能力之金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽結構非揮發性記憶體之研究楊學人; Hsueh-Jen Yang; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2012具有氧化鋁鑭與二氧化矽雙層閘極介電層低操作電壓 非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究陳奕全; Chen, Yi-Chuan; 荊鳳德; IEEE Fellow; Optical Society of America (OSA) Fellow; Chin, Albert; 光電系統研究所
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