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公開日期標題作者
11-十二月-2013Space electric field concentrated effect for Zr:SiO2 RRAM devices using porous SiO2 buffer layerChang, Kuan-; Huang, Jen-wei; Chang, Ting-Chang; Tsai, Tsung-Ming; Chen, Kai-Huang; Young, Tai-Fa; Chen, Jung-Hui; Zhang, Rui; Lou, Jen-Chung; Huang, Syuan-Yong; Pan, Yin-Chih; Huang, Hui-Chun; Syu, Yong-En; Gan, Der-Shin; Bao, Ding-Hua; Sze, Simon M.; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-二月-2014Tri-Resistive Switching Behavior of Hydrogen Induced Resistance Random Access MemoryChu, Tian-Jian; Tsai, Tsung-Ming; Chang, Ting-Chang; Chang, Kuan-Chang; Zhang, Rui; Chen, Kai-Huang; Chen, Jung-Hui; Young, Tai-Fa; Huang, Jen-Wei; Lou, Jen-Chung; Chen, Min-Chen; Huang, Syuan-Yong; Chen, Hsin-Lu; Syu, Yong-En; Bao, Dinghua; Sze, Simon M.; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十一月-2008UV Illumination Technique for Leakage Current Reduction in a-Si:H Thin-Film TransistorsLi, Yiming; Hwang, Chih-Hong; Chen, Chung-Le; Yan, Shuoting; Lou, Jen-Chung; 電子工程學系及電子研究所; 電信工程研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics; Institute of Communications Engineering
2009以低溫微波活化鍺薄膜摻雜之研究莊尚勳; Chuang, Shang-Shiun; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
2001快速升溫氧化成長超薄氧化層研究劉正淇; Liu Chen Chi; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
2009氟化緩衝層應用於接觸孔蝕刻停止層局部形變矽金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究李翊裳; Li, Yi-Shang; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
2008氟化製程應用於金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究莊哲輔; Chuang, Che-Fu; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
2009氟應用於二氧化鉿儲存層非揮發性記憶體之研究林文新; Lin, Wen-Shin; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
2008氟掺雜濃度對於二氧化鉿堆疊式閘極P型金氧半場效電晶體其可靠性的影響謝岳展; Hsieh, Y.C.; 羅正忠; 邱碧秀; Lou, Jen-Chung; Chiou, Bi-Shiou; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2010氟摻雜對應變矽於二氧化鉿堆疊式金氧半場效電晶體其特性和可靠度的影響邱芳毓; Chiu, Fang-Yu; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
2008氟鈍化效應在高介電常數複晶矽層間介電層特性及可靠度研究陸冠文; Lu, Kuan-Wen; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2011氟鈍化製程與氮氧化層於高介電常數金氧半場效應電晶體與快閃記憶體的特性研究謝智仁; Hsieh, Chih-Ren; 林國瑞; 羅正忠; Lin, Gray; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
2009臨場濕式氧化方法在金屬鎢奈米點非揮發性記憶體之製作與研究謝介銘; Hsieh, Chieh-Ming; 羅正忠; Lou, Jen-Chung; 電子研究所
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