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公開日期標題作者
2008利用氫化物氣相磊晶法在藍寶石基板上直接成長氮化鎵厚膜陳仲葳; Chen, Jhong-Wei; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2010在不同緩衝層上以有機金屬化學氣相磊晶法成長非極性氮化鎵之研究鍾文章; Jung, Wen-Jang; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
1997應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響蘇晉德; Su, Zi-Ang; 李威儀; 黃金花; Lee, Wei-I; Huang, Jin-Hua; 電子物理系所
2010氫氣處理對氮化鎵表面影響之研究徐瑩珈; Hsu, Ying-Chia; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2013氫氣蝕刻氮化鎵之原理與應用葉彥顯; Yeh, Yen-Hsien; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2010氫氣蝕刻氮化鎵及其後續成長之研究余諮宜; Yu, Tzu-Yi; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
1997氮化鎵之緩衝層對其電性與深能階之影響吳迪賢; Ngu, Di-Hsien; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2008氮化鎵厚膜翹曲效應分析及其改善之研究楊定儒; Yang, Din-Ru; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2011氮化鎵基板的開發與同質磊晶研究陳奎銘; Chen, Kuei-Ming; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2010氮化鎵基板經化學機械研磨後損害層觀察與去除之研究陳奎佑; Chen, Kuei-You; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2008氮化鎵基板表面化學拋光製成之研究劉凱翔; Liu, Kai-Hsiang; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2014氮極性及非極性氮化鎵氫氣蝕刻之研究楊其昌; Yang, Chi-chang; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2014氮極性獨立式氮化鎵基板磷酸蝕刻機制與形貌探討杜佳豪; Du, Jia-Hao; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2013氮極性面氮化鎵基板之磷酸蝕刻活化能與表面形貌特性研究陳書雋; Chen, Hsu-Chun; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
2014獨立式氮化鎵氮極性面蕭特基二極體表面處理後之特性探討沈宗翰; Shen, Tsung-Han; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
1997碲摻雜磷化銦鋁之缺陷研究宋維哲; Sung, Wei-Jer; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所
1993積體電路生產線上考慮缺陷群聚現象的製程管制圖曾乙弘; Tseng, Yi-Horng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I; 工業工程與管理學系
1993積體電路良率模式之修正與研究呂金盛; Leu, Chin-Sheng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I; 工業工程與管理學系
2017複合高介電係數閘極介電層在三五族半導體中之缺陷特性及其可靠度研究曲崇銘; 李威儀; Chu, Chung-Ming; Lee, Wei-I; 電子物理系所
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