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Browsing by Author Horng-Chih Lin

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2007以金屬誘發側向結晶之多晶矽薄膜電晶體的製作與分析王偉銘; Wei-Ming Wang; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2007低溫多晶矽技術對多晶矽奈米線薄膜電晶體通道結晶特性影響之研究林漢仲; Han-Chung Lin; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2007具倒T型閘極之多晶矽奈米線通道薄膜電晶體與氮化矽記憶體元件之製作與特性分析徐行徽; Hsing-Hui Hsu; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2002具副閘極之多晶矽薄膜電晶體製作與特性研究俞正明; Cheng-Ming Yu; 雷添福; 林鴻志; Tan-Fu Lei; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2004具場引效汲極的蕭特基能障薄膜電晶體之研製與特性分析葉冠麟; Kuan-Lin Yeh; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2005具有奈米線通道的矽鍺及雙閘極薄膜電晶體特性分析洪振家; Jen-Jia Hung; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2006具有奈米線通道的薄膜電晶體之氮化矽記憶體元件特性分析黃建富; Jian-Fu Huang; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2005具有氮化矽覆蓋層之形變N型金氧半場效電晶體之元件特性與熱載子退化效應謝雨霖; Yu-Lin Hsieh; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2000具有蕭特基源/汲極能障SOI金氧半場效電晶體之製作與研究呂嘉裕; Chia-Yu Lu; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2004具有複晶矽鍺閘極與局部形變通道之P型金氧半場效電晶體元件製作與分析張伊鋒; Yi-Feng Chang; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2000具有電場感應汲極之薄膜電晶體的研製與分析陳國華; Kuo-Hwa Chen; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2006利用低溫多晶矽技術於製造具有多晶矽奈米線通道的薄膜電晶體之研究黃育峯; Yu-Fong Huang; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2002動態臨界電壓金氧半電晶體在不同溫度與結構之可靠性分析黃仲揚; Chun-Yang Huang; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
1998多晶矽閘極滲雜濃度對以超薄氧化層製作的深次微米元件可靠度之研究陳彥斐; Yen-Fei Chen; 張俊彥; 林鴻志; Chun-Yen Chang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2005奈米元件靜態隨機讀取記憶體特性之研究呂建松; Chien-Sung Lu; 黃調元; 林鴻志; 李義明; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; Yiming Li; 電子研究所
2006奈米尺寸之製程應變矽互補式金氧半場效電晶體之載子傳輸與負偏壓溫度不穩定之研究林宏年; Hong-Nien Lin; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2006奈米線薄膜電晶體於生化感測應用之研究王子銘; Tzu-Ming Wang; 林鴻志; 柯富祥; Horng-Chih Lin; Fu-Hsiang Ko; 電子研究所
2007懸浮閘和SONOS非揮發性記憶體元件特性及可靠度分析之研究林欣逸; Hsin-I Lin; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電機學院電子與光電學程
2009新式多晶矽奈米線SONOS元件製作與特性分析黃瑄勻; Hsuan-Yun Huang; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2007新式複晶矽奈米線元件製作與特性分析劉大偉; Liu Ta Wei; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
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