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公開日期標題作者
2015Improvement of Oxide Reliability in NAND Flash Memories Using Tight Endurance Cycling with Shorter Idling PeriodShirota, R.; Yang, B-J.; Chiu, Y-Y.; Wu, Y-T.; Wang, P-Y.; Chang, J-H.; Yano, M.; Aoki, M.; Takeshita, T.; Wang, C-Y.; Kurachi, I.; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2016USB3.0隨身碟之EMI解析方法與對策莊健民; 吳霖堃; Chuang, Chien-Min; Wu, Lin-Kun; 電信工程研究所
2006USB大量儲存裝置設計魏 愷; Kai Wei; 林錫寬; Shir-Kuan Lin; 電控工程研究所
2008兩層式寫入緩衝區的管理階層於固態硬碟上之應用林燕屏; Lin, Yen-Ping; 張立平; Chang, Li-Pin; 資訊學院資訊學程
2017寫入/抹除 偏壓與氧化製程在快閃記憶體之可靠度研究張嘉維; 白田理一郎; Chang, Chia-Wei; Riichiro, Shirota; 電機工程學系
2008我國記憶體產業未來發展機會與策略朱巧雲; 唐瓔璋; 企業管理碩士學程
2010決策樹於產能分配之應用-以記憶卡封裝測試代工廠為例蔡瀞頤; 許錫美; 管理學院工業工程與管理學程
2017記憶體IC設計產業特性與IPO效益分析-以D公司為例王怡文; 鍾惠民; 謝文良; Wang, Yi-Wen; Chung, Huimin; Hsieh, Wen-Liang; 管理學院財務金融學程
2012非揮發性快閃記憶體新式寫入序列方法之研究毛妮娜; Mitiukhina Nina; 白田理一郎; Shirota Riichiro; 電機資訊國際學程
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