兩層式寫入緩衝區的管理階層於固態硬碟上之應用

標題:	兩層式寫入緩衝區的管理階層於固態硬碟上之應用 A Two-Level Write-Buffer Management Scheme for Solid-State Disks
作者:	林燕屏 Lin, Yen-Ping 張立平 Chang, Li-Pin 資訊學院資訊學程
關鍵字:	固態硬碟;寫入緩衝區;NAND快閃記憶體;SSD;Write Buffer;NAND Flash;NFTL
公開日期:	2008
摘要:	快閃記憶體廣泛應用於嵌入式系統中，隨著快閃記憶體的容量快速提升以及成本下降，使用NAND快閃記憶體的固態硬碟(SSD)取代傳統硬碟，成為可攜式儲存裝備的最佳選擇。但由於NAND快閃記憶體的特性不同於一般快閃記憶體，現存的FTL/NFTL對於固態硬碟的管理並未有良好的效率。因此本篇論文設計了Two-Level的Write Buffer來管理寫入的資料，並將資料重整後寫入固態硬碟，不但能有效減少NAND快閃記憶體性能的劣化，更能有效地提升整體系統的效率。
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009567602 http://hdl.handle.net/11536/39875
顯示於類別：	畢業論文

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