兩層式寫入緩衝區的管理階層於固態硬碟上之應用

标题:	两层式写入缓冲区的管理阶层于固态硬碟上之应用 A Two-Level Write-Buffer Management Scheme for Solid-State Disks
作者:	林燕屏 Lin, Yen-Ping 张立平 Chang, Li-Pin 资讯学院资讯学程
关键字:	固态硬碟;写入缓冲区;NAND快闪记忆体;SSD;Write Buffer;NAND Flash;NFTL
公开日期:	2008
摘要:	快闪记忆体广泛应用于嵌入式系统中，随着快闪记忆体的容量快速提升以及成本下降，使用NAND快闪记忆体的固态硬碟(SSD)取代传统硬碟，成为可携式储存装备的最佳选择。但由于NAND快闪记忆体的特性不同于一般快闪记忆体，现存的FTL/NFTL对于固态硬碟的管理并未有良好的效率。因此本篇论文设计了Two-Level的Write Buffer来管理写入的资料，并将资料重整后写入固态硬碟，不但能有效减少NAND快闪记忆体性能的劣化，更能有效地提升整体系统的效率。
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009567602 http://hdl.handle.net/11536/39875
显示于类别：	Thesis

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APA	林., Lin, Y., 张., & Chang, L. (2008). 两层式写入缓冲区的管理阶层于固态硬碟上之应用. http://hdl.handle.net/11536/39875.
Bibtex	@article{林燕屏 and Lin2008, title={两层式写入缓冲区的管理阶层于固态硬碟上之应用}, author={林燕屏 and Lin, Yen-Ping and 张立平 and Chang, Li-Pin}, journal={http://hdl.handle.net/11536/39875}, year={2008}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/39875?locale=zh_CN}, }