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公開日期標題作者
1-一月-20142D Numerical Simulation for InGaP/GaAs HBT Safe Operating AreaLin, Bo-Rong; Tao, Nick G. M.; Lee, Chien-Ping; Henderson, Tim; Lin, Barry J. F.; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2007SONOS記憶體因寫入電子之隨機特性造成臨界電壓擾動之模擬分析林彥君; Yen-Chen Lin; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1-六月-2015Study on mechanisms of InGaP/GaAs HBT safe operating area using TCAD simulationTao, Nick G. M.; Lin, Bo-Rong; Lee, Chien-Ping; Henderson, Tim; Lin, Barry J. F.; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2011T25高壓製程之高頻特性研究測試元件任欣桐; Jen, Hsin-Tung; 陳振芳; 荊鳳德; Chen, J. F.; Chin, Albert; 電子物理系所
1-八月-2010Transient Device Simulation of Floating Gate Nonvolatile Memory Cell With a Local TrapWatanabe, Hiroshi; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2017優化背電極薄膜砷化鎵太陽能電池之設計蔡佳霖; 余沛慈; Tsai, Jia-Ling; Yu, Pei-Chen; 光電工程研究所
2015利用tSMC 0.35μm製程設計背閘極酸鹼離子感測場效電晶體范書源; 陳宗麟; Fan,Sue-Yuan; Chen,Tsung-Lin; 工學院精密與自動化工程學程
2012標準CMOS製程之低暗記數單光子崩潰二極體許方則; Hsu, Fang-Ze; 林聖廸; Lin, Sheng-Di; 電子研究所
2013磷化銦鎵/砷化鎵異質接面電晶體安全操作範圍之二維模擬林柏榕; Lin, Bo-Rong; 李建平; Lee, Chien-Ping; 電子工程學系 電子研究所
2015背面照光式CMOS影像感測器採用0.11微米製程技術之模擬研究陳柏宇; Chen, Po-Yu; 林詩淳; Lin, Shih-Chun; 電子工程學系 電子研究所
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