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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Du, AY
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顯示 1 到 8 筆資料,總共 8 筆
公開日期
標題
作者
10-五月-2004
Effect of surface NH3 anneal on the physical and electrical properties of HfO2 films on Ge substrate
Wu, N
;
Zhang, QC
;
Zhu, CX
;
Yeo, CC
;
Whang, SJ
;
Chan, DSH
;
Li, MF
;
Cho, BJ
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
Du, AY
;
Tung, CH
;
Balasubramanian, N
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
4-十月-2004
Electrical characteristics and suppressed boron penetration behavior of thermally stable HfTaO gate dielectrics with polycrystalline-silicon gate
Yu, XF
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Chin, A
;
Du, AY
;
Wang, WD
;
Kwong, DL
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-七月-2005
Formation of dual-phase HfO2-HfxSi1-xO2 dielectric and its application in memory devices
Wang, YQ
;
Chen, JH
;
Yoo, WJ
;
Yeo, YC
;
Yeo, YC
;
Chin, A
;
Du, AY
;
奈米科技中心
;
Center for Nanoscience and Technology
1-二月-2005
Germanium pMOSFETs with Schottky-barrier germanide S/D, high-kappa gate dielectric and metal gate
Zhu, SY
;
Li, R
;
Lee, SJ
;
Li, MF
;
Du, AY
;
Singh, J
;
Zhu, CX
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十月-2004
Low temperature MOSFET technology with Schottky barrier source/drain, high-K gate dielectric and metal gate electrode
Zhu, SY
;
Yu, HY
;
Chen, JD
;
Whang, SJ
;
Chen, JH
;
Shen, C
;
Zhu, CX
;
Lee, SJ
;
Li, MF
;
Chan, DSH
;
Yoo, WJ
;
Du, AY
;
Tung, CH
;
Singh, J
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-八月-2004
N-type Schottky barrier source/drain MOSFET using ytterbium silicide
Zhu, SY
;
Chen, JD
;
Li, MF
;
Lee, SJ
;
Singh, J
;
Zhu, CX
;
Du, AY
;
Tung, CH
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-2004
Schottky-barrier S/D MOSFETs with high-K gate dielectrics and metal-gate electrode
Zhu, SY
;
Yu, HY
;
Whang, SJ
;
Chen, JH
;
Shen, C
;
Zhu, CX
;
Lee, SJ
;
Li, MF
;
Chan, DSH
;
Yoo, WJ
;
Du, AY
;
Tung, CH
;
Singh, J
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-2004
A TaN-HfO2-Ge pMOSFET with novel SiH4 surface passivation
Wu, N
;
Zhang, QC
;
Zhu, CX
;
Chan, DSH
;
Du, AY
;
Balasubramanian, N
;
Li, MF
;
Chin, A
;
Sin, JKO
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics