瀏覽 的方式: 作者 LEI TAN-FU

跳到: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字:  
顯示 1 到 20 筆資料,總共 22 筆  下一頁 >
公開日期標題作者
2001MOS元件之閘極層介電材料之技術開發與清潔溶液對複晶矽薄膜經化學機械研磨之研發雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程研究所
1996以UHV/CVD低溫成長複晶薄膜及其金屬矽化物於次微米元件之應用雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程研究所
1995使用UHV/CVD低溫成長複晶矽於次微米元件之應 用雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程研究所
1999參加1998國際電子元件材料會議雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程研究所
2002奈米MOS元件之矽化物、超淺接面及接觸孔之研發(I)雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程研究所
2003奈米MOS元件之矽化物、超淺接面及接觸孔之研發(II)雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程研究所
2004奈米MOS元件之矽化物、超淺接面及接觸孔之研發(III)雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程研究所
2002微電子學門赴歐參訪雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程研究所
2000應用於深次微米CMOS元件之閘極氧化層與複晶矽介電層之技術開發雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程系
2000應用於深次微米CMOS元件與薄膜電晶體之製程技術開發雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程學系
2005新式低溫複晶矽薄膜電晶體之結構與技術在電抹除可程式唯讀記憶體的應用(I)雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程系
2006新式低溫複晶矽薄膜電晶體之結構與技術在電抹除可程式唯讀記憶體的應用(II)雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程系
2007新式低溫複晶矽薄膜電晶體之結構與技術在電抹除可程式唯讀記憶體的應用(III)雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2004新式結構與四氟化碳電漿處理在複晶矽薄膜電晶體應用之研究雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程研究所
2008新式結構與高介電常數閘極介電層在複晶矽薄膜電晶體之應用(I)雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2009新式結構與高介電常數閘極介電層在複晶矽薄膜電晶體之應用(II)雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
1999深次微米CMOS元件之複晶矽介電層與閘極氧化層之技術開發雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程系
2001矽化物超淺接面和接觸孔研發雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程研究所
2003電漿處理應用在超大型積體電路上高介電常數閘極絕緣層之研究雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程研究所
2005高介電常數奈米微晶粒材料之研究與記憶體元件之製作(I)雷添福; LEI TAN-FU; 交通大學電子工程系