標題: | 深次微米CMOS元件之複晶矽介電層與閘極氧化層之技術開發 Technology Development on Polysilicon Dielectric Layers and Gate Oxides for Deep Submicron CMOS Devices |
作者: | 雷添福 LEI TAN-FU 交通大學電子工程系 |
關鍵字: | 深次微米;複晶矽;介電層;閘極氧化層;互補式金氧半導體;Deep submicron;Polysilicon;Dielectric layer;Gate oxide;CMOS |
公開日期: | 1999 |
官方說明文件#: | NSC88-2215-E009-045 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/94461 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444190&docId=80439 |
顯示於類別: | 研究計畫 |