深次微米CMOS元件之複晶矽介電層與閘極氧化層之技術開發

標題:	深次微米CMOS元件之複晶矽介電層與閘極氧化層之技術開發 Technology Development on Polysilicon Dielectric Layers and Gate Oxides for Deep Submicron CMOS Devices
作者:	雷添福 LEI TAN-FU 交通大學電子工程系
關鍵字:	深次微米;複晶矽;介電層;閘極氧化層;互補式金氧半導體;Deep submicron;Polysilicon;Dielectric layer;Gate oxide;CMOS
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2215-E009-045
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94461 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444190&docId=80439
顯示於類別：	研究計畫