應用於深次微米CMOS元件之閘極氧化層與複晶矽介電層之技術開發

標題:	應用於深次微米CMOS元件之閘極氧化層與複晶矽介電層之技術開發 Technology Development on Gate Oxides and Polysilicon Dielectric Layers for Deep Submicron CMOS Devices
作者:	雷添福 LEI TAN-FU 交通大學電子工程系
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2215-E009-036
URI:	http://hdl.handle.net/11536/100693 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=720334&docId=135306
顯示於類別：	研究計畫

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