標題: 應用於深次微米CMOS元件之閘極氧化層與複晶矽介電層之技術開發
Technology Development on Gate Oxides and Polysilicon Dielectric Layers for Deep Submicron CMOS Devices
作者: 雷添福
LEI TAN-FU
交通大學電子工程系
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2215-E009-036
URI: http://hdl.handle.net/11536/100693
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=720334&docId=135306
顯示於類別:研究計畫


文件中的檔案:

  1. 892215E009036.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。