應用於深次微米CMOS元件之閘極氧化層與複晶矽介電層之技術開發

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	雷添福	en_US
dc.contributor.author	LEI TAN-FU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:46:15Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:46:15Z	-
dc.date.issued	2000	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC89-2215-E009-036	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/100693	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=720334&docId=135306	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	應用於深次微米CMOS元件之閘極氧化層與複晶矽介電層之技術開發	zh_TW
dc.title	Technology Development on Gate Oxides and Polysilicon Dielectric Layers for Deep Submicron CMOS Devices	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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