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公開日期標題作者
1991LOCOS閘極結構次微米金氧半元件的模式研究張儉華; Chang, Chien-Hwa; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1998N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1996P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1993VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2007一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討謝易叡; E Ray Hsieh; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1999不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存特性研究吳柏璋; Bo-chang Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2000不同浮動閘極材料P通道快閃記憶體性能與可靠性之改進蔡皓偉; Hao-Wei Tsai; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2004不同界面層與環狀植入對高介電氧化層CMOS元件可靠性影響之研究李冠德; Guan-De Lee; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2007二位元SONOS快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討郭建鴻; Jian-Hung Kuo; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1999以基極偏壓增強熱電子注入操作的快閃式記憶元件可靠性研究羅思覺; Sze-Jua Luo; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2007以鉿為基底之高介電常數閘極介電層之N通道金氧半電晶體可靠度探討曾友良; Yu-Liang Tseng; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2006低電壓且高速操作的P通道快閃式記憶體元件性能及可靠性研究黃耀賢; Yao-Hsien Huang; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2000使用多重氧化層技術成長之雙閘極金氧半元件偏壓與溫度效應之可靠性研究林清淳; Ching-Chung Lin; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1995供電路模擬器SPICE使用之複晶矽薄膜電晶體模式鄭基廷; Cheng, Chi-Ting; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2003先進互補式金氧半元件的閘極層厚度1nm範圍下之低漏電電荷幫浦量測技術馮信榮; Feng Hsin Jung; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2003先進氮化超薄氧化層及堆疊氧化層結構CMOS元件在熱載子與高溫負偏壓操作下的探討顧子強; Zi-Qiang Ku; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1998利用P型浮動閘極材料改善N通道快閃記憶體的性能與可靠性之研究何之浩; Zhi-Hao Ho; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2000利用汲極崩潰熱電子注入操作的快閃式記憶體元件性能及可靠性研究陳映仁; Yin Jen Chen; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2001利用汲極端包覆性植入結構改善快閃記憶體的性能與可靠性之研究林新富; Lin Hsin-Fu; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2001利用閘二極體量測法評估雙閘極金氧半電晶體的熱載子和負偏壓溫度可靠性羅大剛; Da-Kang Lo; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
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