標題: 矽鍺應力層及非應力層的探討及高速電晶體之應用
Investigation of Strained and Unstrained SiGe Layer and Its Application to High Speed MOSFET
作者: 荊鳳德
CHIN ALBERT
交通大學電子工程系
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2215-E009-044
URI: http://hdl.handle.net/11536/100716
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=720340&docId=135308
顯示於類別:研究計畫


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