標題: 整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(II)
Development of the III-Nitride High Power High Frequency HEMT Structures Grown by Integration of MBE and MOCVD Technologies(II)
作者: 張俊彥
CHANG CHUN-YEN
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期: 2009
官方說明文件#: NSC98-2221-E009-003
URI: http://hdl.handle.net/11536/101553
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1904979&docId=315708
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