利用氘化及氮化處理製備高可靠性薄閘氧化層深次微米NMOS元件

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	莊紹勳	en_US
dc.contributor.author	Chung Steve S	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:49:26Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:49:26Z	-
dc.date.issued	2000	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC89-2215-E009-045	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/101648	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542146&docId=99594	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	金氧半導體	zh_TW
dc.subject	熱載子可靠性	zh_TW
dc.subject	深次微米	zh_TW
dc.subject	界面特性化	zh_TW
dc.subject	氮化閘極氧化層	zh_TW
dc.subject	氘氣回火製程	zh_TW
dc.subject	MOS	en_US
dc.subject	Hot carrier reliability	en_US
dc.subject	Deep submicrometer	en_US
dc.subject	Interface characterization	en_US
dc.subject	Nitrided gate oxide	en_US
dc.subject	Deuterium annealing	en_US
dc.title	利用氘化及氮化處理製備高可靠性薄閘氧化層深次微米NMOS元件	zh_TW
dc.title	Highly Reliable Thin Gate Oxide Deep-Submicron N-MOSFET by Deuterium and Nitrogen Treatments	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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