奈米點記憶體元件之製作與物理機制研究(II)

標題:	奈米點記憶體元件之製作與物理機制研究(II) Physical Mechanism Study and Fabrication of Nanocrystal for Memory Device(II)
作者:	施敏 SZE SIMON MIN 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2009
官方說明文件#:	NSC98-2221-E009-001
URI:	http://hdl.handle.net/11536/101858 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1909204&docId=316576
顯示於類別：	研究計畫

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