標題: 以六電晶體為基礎架構之靜態隨機記憶體陣列
作者: 莊景德
周世傑
黃威
林宜緯
蔡銘謙
楊皓義
杜明賢
石維強
連南鈞
李坤地
公開日期: 1-Sep-2013
摘要: 本發明係提供一種以六電晶體架構組成之靜態隨機存取記憶體,其包含第一反相單元、第二反相單元第一傳送閘電晶體以及第二傳送閘電晶體。第一反相單元包含一第一升壓電晶體與一第一降壓電晶體。第二反相單元包含第二升壓電晶體與第二降壓電晶體。第二升壓電晶體之閘極係耦接第二降壓電晶體之閘極,第二升壓電晶體之汲極係耦接第二降壓電晶體之汲極。靜態隨機存取記憶體僅需藉由控制第一位元線、第二位元線、第一字元線、接地以及電壓源之輸入電壓,而不需改變製程中之物理參數,即可量測轉態電壓、讀取干擾電壓或寫入邊界。
官方說明文件#: G11C011/417
URI: http://hdl.handle.net/11536/103213
專利國: TWN
專利號碼: 201335936
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