半導體元件及其製作方法

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.contributor.author	張嘉華	en_US
dc.contributor.author	金海光	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:11:52Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:11:52Z	-
dc.date.issued	2013-06-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/20	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/316	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L029/94	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103259	-
dc.description.abstract	本發明提出一種半導體元件及其製作方法。該半導體元件包含:三五族半導體層;一氧化鋁層,形成於該三五族半導體層上;以及一鑭系氧化物層,形成於該氧化鋁層上。該製造半導體元件的方法包含:形成一氧化鋁層於三五族半導體層與一鑭系氧化物層之間,以防止該三五族半導體層與該鑭系氧化物層之間的原子擴散作用。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	半導體元件及其製作方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201324587	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。