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dc.contributor.author張翼en_US
dc.contributor.author林岳欽en_US
dc.contributor.author張嘉華en_US
dc.contributor.author金 海光en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:11:52Z-
dc.date.available2014-12-16T06:11:52Z-
dc.date.issued2013-06-16en_US
dc.identifier.govdocH01L021/20zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/316zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/94zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103259-
dc.description.abstract本發明提出一種半導體元件及其製作方法。該半導體元件包含:三五族半導體層;一氧化鋁層,形成於該三五族半導體層上;以及一鑭系氧化物層,形成於該氧化鋁層上。該製造半導體元件的方法包含:形成一氧化鋁層於三五族半導體層與一鑭系氧化物層之間,以防止該三五族半導體層與該鑭系氧化物層之間的原子擴散作用。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title半導體元件及其製作方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201324587zh_TW
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