標題: | 自組式金屬奈米島陣列之製作方法 |
作者: | 張原銘 莊振益 戴鴻名 王浩偉 曾文綬 高斌栩 張樂融 |
公開日期: | 21-Mar-2014 |
摘要: | 一種自組式金屬奈米島陣列之製作方法,係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程,以形成一金屬奈米島陣列。利用此種製作方法,僅需單一濺鍍製程,即可完成金屬奈米島陣列的製作,相較於習知,不僅可有效減少繁瑣之製程步驟,更可進一步地節約能源、電力及製作成本。 |
官方說明文件#: | B82B003/00 B82Y040/00 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/103942 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I430938 |
Appears in Collections: | Patents |
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