III-V metal-oxide-semiconductor device

標題:	III-V metal-oxide-semiconductor device
作者:	Chang Edward Yi Lin Yueh-Chin
公開日期:	27-八月-2013
摘要:	A hafnium oxide layer, between a III-V semiconductor layer and a metal oxide layer is used to prevent interaction between the III-V semiconductor layer and the metal oxide layer.
官方說明文件#:	H01L021/02
URI:	http://hdl.handle.net/11536/104450
專利國:	USA
專利號碼:	08519488
顯示於類別：	專利資料

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