一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構

標題:	一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構
作者:	李承士張翼
公開日期:	1-七月-2003
摘要:	本發明係提供一種在砷化鎵(GaAs)半導體上的蕭基 (Schottky)結構，包括：一砷化鎵(GaAs)半導體基板；以及一金屬鈦(Ti)層，分佈於該砷化鎵(GaAs)半導體基板上，以形成蕭基接觸；以及一擴散障礙層，分佈於該金屬鈦(Ti)層上，用以阻擋金屬層之擴散；以及一第一金屬銅(Cu)層，分佈於該擴散障礙層上；藉由該擴散障礙層，俾可使後續的銅(Cu)金屬製程直接鍍在第一金屬銅(Cu)層之上。
官方說明文件#:	H01L029/12 H01L029/12
URI:	http://hdl.handle.net/11536/106462
專利國:	TWN
專利號碼:	00540160
顯示於類別：	專利資料

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。