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標題: 一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構
作者: 李承士
張翼
公開日期: 1-Jul-2003
摘要: 本發明係提供一種在砷化鎵(GaAs)半導體上的蕭基 (Schottky)結構，包括：一砷化鎵(GaAs)半導體基板 ；以及一金屬鈦(Ti)層，分佈於該砷化鎵(GaAs)半導 體基板上，以形成蕭基接觸；以及一擴散障礙層，分佈 於該金屬鈦(Ti)層上，用以阻擋金屬層之擴散；以及 一第一金屬銅(Cu)層，分佈於該擴散障礙層上；藉由 該擴散障礙層，俾可使後續的銅(Cu)金屬製程直接鍍 在第一金屬銅(Cu)層之上。
官方說明文件#: H01L029/12
H01L029/12
URI: http://hdl.handle.net/11536/106462
專利國: TWN
專利號碼: 00540160
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